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Die Erfindung geht von einem Verfahren zum Auslesen des Inhalts einer Flash-/EEPROM-Speicherzelle aus, bei dem ein über einen Auslesepfad mit einer einen Speichertransistor aufweisenden Speicherzelle fließender Lesestrom mit einem über wenigstens eine Auslesepfadnachbildung mit einer die Speicherzelle nachbildende und einen den Speichertransistor nachbildenden Referenz-Speichertransistor aufweisende Referenz-Speicherzelle fließenden Referenzstrom verglichen wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Referenz-Speichertransistor zunächst in einem ersten Schritt in den selbstleitenden Zustand verbracht wird, sofern sich der Referenz-Speichertransistor nicht bereits in dem selbstleitenden Zustand befindet. In einem zweiten Schritt ist vorgesehen, dass ein vorgegebener Referenzstrom in die wenigstens eine Auslesepfadnachbildung eingespeist wird. Anders als im Stand der Technik ist dieser Referenzstrom nicht von einer Referenzspannung abgeleitet. In einem dritten Schritt ist vorgesehen, mit Hilfe des vorgegebenen Referenzstroms eine vom Kanalwiderstand des Referenz-Speichertransistors abhängige Referenzspannung zu erzeugen. Das Gate des Speichertransistors und das Gate des Referenz-Speichertransistors werden in einem vierten Schritt mit der erzeugten Referenzspannung beaufschlagt. In einem fünften Schritt wird der durch den Speichertransistor fließende Lesestrom mit dem durch den Referenz-Speichertransistor fließenden vorgegebenen Referenzstrom verglichen.
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