| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 为了提供一种由于将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间。而且，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high－K)膜。通过使High－K膜本身成为氮化物，可以防止SiO<SUB>2</SUB>的生成。 | ||
| 申请公布号 | CN1768431A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200480009209.9 | 申请日期 | 2004.03.31 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;大见忠弘 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;若松秀利;小林保男 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：硅基板；栅电极层；栅绝缘膜，所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high-K)膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||