| 发明名称 | 有机薄膜晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种有机薄膜晶体管，包含有机衬底、栅电极、栅绝缘膜、有机半导体膜、源电极和漏电极，且在有机薄膜晶体管中，与栅绝缘膜接触的栅电极平均表面粗糙度Ra为0.1－15nm。这种有机薄膜晶体管，即使其用作栅电极的导体膜制作在形状不固定、平整度比硅晶片差的衬底上，如玻璃环氧树脂衬底上，也能具有稳定的性能特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1768437A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200480008727.9 | 申请日期 | 2004.03.31 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 小金井昭雄;诸田孝光 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01);H01L51/40(2006.01);H05B33/26(2006.01) | 主分类号 | H01L51/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种有机薄膜晶体管，包括：有机衬底；栅电极；栅绝缘膜；有机半导体膜；源电极；以及漏电极，其中与栅绝缘膜接触的栅电极平均表面粗糙度Ra为0.1-15nm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||