| 发明名称 | 薄膜电容元件用组合物、高介电常数的绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器、电路和电子仪器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及铋层状化合物，该铋层状化合物以任意的混合比含有第1铋层状化合物和第2铋层状化合物，其中第1铋层状化合物在规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数也上升的正温度特性；第2铋层状化合物在上述规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数降低的负温度特性。具体来说，涉及以组成式Ca<SUB>x</SUB>Sr<SUB> (1－x)</SUB>Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>4</SUB>O<SUB>15</SUB>表示的铋层状化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1768403A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200380110280.1 | 申请日期 | 2003.11.18 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 坂下幸雄;舟洼浩 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01);H01G4/20(2006.01);H01G4/12(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01G4/33(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.薄膜电容元件用组合物，该组合物以任意的混合比含有第1铋层状化合物和第2铋层状化合物，其中第1铋层状化合物在规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数上升的正温度特性；第2铋层状化合物在上述规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数降低的负温度特性。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||