发明名称 |
二阶静态磁场校正方法和MRI装置 |
摘要 |
为了减小MRI装置中的二阶静态磁场分量,将第一圆形环路线圈(C1)和第二圆形环路线圈(C2)相对于MRI(100)装置的成像区域中心Z0对称在静态磁场(B0)方向上间隔开的位置上放置。类似地放置第三圆形环路线圈(C3)和第四圆形环路线圈(C4)。第一和第二圆形环路线圈(C1)和(C2)产生方向相同的第一校正磁场(bz1)和第二校正磁场(bz2),第三和第四圆形环路线圈(C3)和(C4)产生相同方向并与第一校正磁场(bz1)方向相反的第三校正磁场(bz3)和第四校正磁场(bz4)。静态磁场(B0)的二阶分量通过校正磁场(bz1-bz4)进行校正。 |
申请公布号 |
CN1254691C |
申请公布日期 |
2006.05.03 |
申请号 |
CN01145492.X |
申请日期 |
2001.11.21 |
申请人 |
GE医疗系统环球技术有限公司 |
发明人 |
后藤隆男 |
分类号 |
G01R33/38(2006.01);A61B5/055(2006.01) |
主分类号 |
G01R33/38(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王岳;张志醒 |
主权项 |
1.一种二阶静态磁场校正方法,包括以下步骤:将第一圆形环路线圈和第二圆形环路线圈在静态磁场方向上间隔开的位置上相对于磁共振成像装置的成像区域中心对称地放置,其特征在于所述第一和第二圆形环路线圈与磁共振成像装置的多个梯度线圈基本上共面放置;将具有比第一和第二圆形环路线圈的直径大的第三圆形环路线圈和第四圆形环路线圈在所述静态磁场方向上间隔开的位置上相对于所述成像区域的中心对称地放置;由所述第一和第二圆形环路线圈在同一方向产生第一校正磁场和第二校正磁场;由所述第三和第四圆形环路线圈在同一方向产生与所述第一校正磁场相反的第三校正磁场和第四校正磁场;由此校正作为z向的静态磁场方向的二阶静态磁场分量。 |
地址 |
美国威斯康星州 |