发明名称 用以测量感测放大器之偏移电压之方法及应用该方法之半导体装置
摘要 一种能精确测量位元线感测放大器偏移电压之半导体记忆体装置。本发明之半导体记忆体装置包含:一位元线感测放大器,用以放大一位元线与一反相位元线间之电压差额,其在资料之读取时,传递写在记忆体单元上之资料;一资料输入/输出线及一反相资料输入/输出线,位于透过一或多个开关耦合至位元线及反相位元线之一核心区域之中;连接至资料输入/输出线之一第一外部电压供应垫片;连接至反相资料输入/输出线之一第二外部电压供应垫片;以及一外部电压供应控制器,用以切换资料输入/输出线与第一外部电压供应垫片间之连接,及反相资料输入/输出线与第二外部电压供应垫片间之连接。
申请公布号 TW200614243 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094100125 申请日期 2005.01.04
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 都昌镐;孙振硕
分类号 G11C11/4091 主分类号 G11C11/4091
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国