发明名称 电荷陷入记忆体元件及其程式化及抹除方法
摘要 一种电荷陷入记忆体元件的程式化及抹除方法,首先在闸极上施加第一负电压,以达动态平衡状态(重置/抹除状态)。接着,在闸极上施加正电压,以程式化此记忆体元件。然后,在闸极上施加第二负电压,以使记忆体元件恢复到重置/抹除的状态。
申请公布号 TW200614252 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW093132513 申请日期 2004.10.27
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吕函庭
分类号 G11C16/16 主分类号 G11C16/16
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号