电子元件金属化制程的表面活化方法

摘要

本发明提供一种制备电子元件之金属化上的表面活化方法。本方法结合电浆离子布植和无电镀技术，先将晶种布植在扩散阻绝层上，作为无电镀铜的触媒然后再施予无电镀钢制程，以完成ULSI内连结金属化。本发明藉由Pd电浆植入触媒的处理，完成线宽在100奈米内无电镀铜之ULSI内连结金属化。本发明可藉由调整触媒离子的布植条件而改变无电镀铜膜在100奈米级引洞或沟槽内的成长机制，藉此获得高品质的金属内连结导线。成长的金属膜与扩散阻绝层间有高附着强度。热处理后，亦证实具有良好的电性及介面结构可靠度。