透明导电膜、透明导电膜制造用烧结体靶、透明导电性基材及使用其之显示装置

摘要

本发明之透明导电膜，系Ga、In及O所构成的非晶质氧化膜；其中对所有金属原子，使上述Ga含有35原子％以上而45原子％以下，阻抗比在1.2×10^–3Ω．cm以上8.0×10^–3Ω．cm以下，膜厚在500nm以下，而波长380nm时光透过率在45％以上。