| 主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,包括: 提供一基底,该基底包括有一记忆胞区以及一高压 电路区; 在该记忆胞区之该基底中形成一第一源极/汲极区 ,并且在该高压电路区之该基底中形成一第二源极 /汲极区; 在该基底上依序形成一氧化层、一第一导电层以 及一顶盖层; 图案化该顶盖层以及该第一导电层,以于该记忆胞 区中定义出一浮置闸极,并移除该高压电路区中之 该顶盖层与该第一导电层; 进行一氧化制程,以使暴露出的该氧化层增厚; 移除该顶盖层; 在暴露的该浮置闸极表面形成一阻障层; 在该基底上形成一第二导电层,覆盖住该氧化层以 及该阻障层;以及 图案化该第二导电层,以于该高压电路区中定义出 一闸极,并于该记忆胞区中定义出一控制闸极。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中于形成该第一与第二源极/汲极区之前, 更包括在该基底中形成一高压井区。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中形成在该第一导电层底下之该氧化层的 厚度是介于50埃至150埃。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中增厚的该氧化层厚度是介于700埃至1000 埃。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中增厚的该氧化层系覆盖住该浮置闸极之 侧壁。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该氧化制程包括一热氧化制程。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该阻障层之材质包括氧化矽。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该控制闸极之尺寸系大于该浮置闸极之 尺寸。 9.一种半导体元件的制造方法,包括: 提供一基底,该基底包括有一记忆胞区、一高压电 路区以及一低压电路区; 在该记忆胞区之该基底中形成一第一源极/汲极区 ,并且在该高压电路区之该基底中形成一第二源极 /汲极区; 在该基底上依序形成一氧化层、一第一导电层以 及一顶盖层; 图案化该顶盖层以及该第一导电层,以于该记忆胞 区中定义出一浮置闸极,并移除该高压电路区中之 该顶盖层与该第一导电层,且保留下该低压电路区 中之该顶盖层与该第一导电层; 进行一氧化制程,以使暴露出来的该氧化层增厚; 移除该顶盖层; 移除该低压电路区中之该第一导电层以及该氧化 层; 在该浮置闸极之暴露的表面形成一阻障层,并于该 低压电路区中之该基底上形成一闸绝缘层; 在该基底上形成一第二导电层,覆盖住该闸绝缘层 、该氧化层以及该阻障层;以及 图案化该第二导电层,以于该记忆胞区中定义出一 控制闸极,于该高压电路区中定义出一第一闸极, 并于该低压电路区中定义出一第二闸极。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中于形成该第一与第二源极/汲极之前,更 包括在该记忆胞区以及该高压电路区之该基底中 形成一高压井区。 11.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中形成在该第一导电层底下之该氧化层的 厚度是介于50埃至150埃。 12.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中增厚的该氧化层厚度是介于700埃至1000 埃。 13.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中增厚的该氧化层系覆盖住该浮置闸极之 侧壁。 14.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中该阻障层之材质系与该闸绝缘层之材质 相同。 15.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中该控制闸极之尺寸系大于该浮置闸极之 尺寸。 16.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中于形成该第二闸极之后,更包括在该低 压电路区之该基底中形成一第三源极/汲极区。 17.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造 方法,其中该氧化制程包括一热氧化制程。 18.一种半导体元件,包括: 一基底,该基底具有一记忆胞区以及一高压电路区 ; 一第一源极/汲极区,配置在该记忆胞区之该基底 中; 一第二源极/汲极区,配置在该高压电路区之该基 底中; 一第一闸绝缘层,配置在该记忆胞区中的该基底上 ; 一第二闸绝缘层,配置在该高压电路区中的该基底 上,其中该第二闸绝缘层之厚度系大于该第一闸绝 缘层之厚度; 一浮置闸极,位于该第一闸绝缘层上; 一控制闸极,位于该浮置闸极上方,其中该控制闸 极之尺寸系大于该浮置闸极之尺寸; 一阻障层,配置于该浮置闸极与该控制闸极之间; 以及 一闸极,配置在该第二闸绝缘层上。 19.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中 该第一源极/汲极区与该第二源极/汲极之深度以 及浓度皆相同。 20.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中 该基底更包括一低压电路区,且该低压电路区中包 括配置有多数个低压元件。 图式简单说明: 图1A至图1G是依照本发明之一较佳实施例的一种半 导体元件之制造流程剖面示意图。 图2是依照本发明之一较佳实施例的一种半导体元 件之构造剖面图。 |
