| 主权项 |
1.一种薄膜发光二极体晶片,其特征为:镜面层(4)和 光产生用的活性区(3)之间的距离调整成使由活性 区(3)在该薄膜发光二极体晶片之辐射发射面的方 向中所发出的辐射可受到由镜面层(4)所反射的辐 射所干扰,且因此使活性区(3)之内部的量子效率受 到影响,于是使活性区(3)的发射特性具有至少一种 优先方向,其中一发射层具有半导电性。 2.如申请专利范围第1项之薄膜发光二极体晶片,其 中具有一种半导体本体(1,2,3),其包含该活性区(3) 和该发射层。 3.如申请专利范围第2项之薄膜发光二极体晶片,其 中可省略共振器。 4.如申请专利范围第2项之薄膜发光二极体晶片,其 中该活性区(3)配置在第一导电型式的第一半导体 层(1)和第二导电型式的第二半导体层(2)之间;第二 半导体层(2)形成该发射层;以及第一半导体层(1)配 置在镜面层(4)和活性区(3)之间。 5.如申请专利范围第4项之薄膜发光二极体晶片,其 中该第二半导体层(2)配置在活性区(3)和一种去反 射层(7)之间。 6.如申请专利范围第1至5项中任一项之薄膜发光二 极体晶片,其中该镜面层(4)在宽频带范围中进行反 射。 7.如申请专利范围第6项之薄膜发光二极体晶片,其 中该镜面层(4)是一种金属层。 8.如申请专利范围第4项之薄膜发光二极体晶片,其 中该镜面层(4)和活性区(3)之间的距离等于第一半 导体层(1)之厚度。 9.如申请专利范围第1或8项之薄膜发光二极体晶片 ,其中该镜面层(4)和活性区(3)之间的距离小于2, 其中是半导体本体中的光波长。 10.如申请专利范围第9项之薄膜发光二极体晶片, 其中该镜面层(4)和活性区(3)之间的距离介于0.16 和0.28之间,其中是半导体本体中的光波长。 11.如申请专利范围第9项之薄膜发光二极体晶片, 其中该镜面层(4)和活性区(3)之间的距离介于0.63 和0.78之间,其中是半导体本体中的光波长。 12.如申请专利范围第9项之薄膜发光二极体晶片, 其中该镜面层(4)和活性区(3)之间的距离介于1.15 和1.38之间,其中是半导体本体中的光波长。 13.如申请专利范围第2项之薄膜发光二极体晶片, 其中半导体本体含有GaN或GaN-化合物。 14.如申请专利范围第2或13项之薄膜发光二极体晶 片,其中具有一种面向该镜面层(4)之载体(6),其不 是半导体本体(1,2,3)用的生长基板。 15.如申请专利范围第14项之薄膜发光二极体晶片, 其中在镜面层(4)和载体(6)之间设有至少一种黏合 促进层(5)。 16.如申请专利范围第2项之薄膜发光二极体晶片, 其中半导体木体(1,2,3)具有一种平坦的发射面。 17.如申请专利范围第2项之薄膜发光二极体晶片, 其中半导体本体(1,2,3)具有一种已粗糙化的发射面 。 18.如申请专利范围第14项之薄膜发光二极体晶片, 其中载体(6)具有导电性且第一半导体层(1)可经由 载体(6)而被接触。 图式简单说明: 第1图 具有平坦之发射面之薄膜发光二极体晶片 之一例。 第2图 具有半导体本体(其包含一种阻障层)和去反 射层之薄膜发光二极体晶片。 第3图 具有已构成的发射面之薄膜发光二极体晶 片。 第4图 具有发光二极体晶片之光学组件。 |
