使用三氧化二铝介电质之记忆体单元的隔离结构

摘要

本发明系揭示一种隔离闸极，在一示范实施例中，该隔离闸极在一基板上方形成，用以偏压该基板且提供一积体电路结构(例如一DRAM记忆体单元)之数个邻接主动区间之隔离。使用一种氧化铝(三氧化二铝)作为一闸极介电质(而非一传统闸极氧化层)，用以在该渠沟隔离区域下方及附近产生一富含电洞之累积区域。本发明之另一示范实施例揭示一种氧化铝层，利用该氧化层作为一浅沟隔离(STI)区域中之衬底，以增加该隔离区域之有效性。该等实施例亦可一起使用于一隔离区域。