具有耦接到基板的汲极之金属半导体场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供一种金属半导体场效电晶体(MESFET)之单位晶胞。该MESFET之单位晶胞包括一具有一源极区域、一汲极区域及一闸极触点之MESFET。该闸极触点系设置于该源极区域与该汲极区域之间。该汲极区域系经由一通至该基板之接触通孔电耦接至该基板。本文亦揭示制造MESFETs之相关方法。