非挥发性记忆体之制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，此方法系先提供一基底，且于基底上依序形成穿隧氧化层，保护层以及半导体矽化物层。接着，氧化半导体矽化物层以形成氧化矽层，并使半导体矽化物层的半导体成分累积于氧化矽层与穿隧氧化层交界处。然后，进行热制程，使半导体成分形成多数个半导体奈米结晶。之后，进行氮化制程，使环绕在这些半导体奈米结晶周围的部分氧化矽层转变成氮氧化矽。继之，于氧化矽层上形成闸极，以及于闸极两侧之基底中形成源极／汲极区。