| 主权项 |
1.一种修正缺陷位置图偏移之方法,该方法至少包 含: 利用至少一辅助参考点来校正一缺陷扫描机台之 一原点座标; 利用相同之该辅助参考点来校正一缺陷检视机台 之另一原点座标; 比较该缺陷扫描机台之该原点座标与该缺陷检视 机台之该另一原点座标的一位置向量差,以得该缺 陷扫描机台与该缺陷检视机台间的一偏移量;以及 根据该偏移量来修正一基材上之一缺陷的一座标 位置。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含储存该 辅助参考点之资料的步骤,以及利用该缺陷扫描机 台来扫描该基材的步骤,于利用该辅助参考点来校 正该缺陷检视机台的步骤之前。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之辅 助参考点之该资料包含一座标位置,其中利用该座 标位置以手动校正该缺陷检视机台上之缺陷位置 图偏移量。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之辅 助参考点之该资料包含一影像,其中利用该影像以 自动校正该缺陷检视机台之缺陷位置图偏移量。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之辅 助参考点系位于该基材上之一晶粒内。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之原 点系为该晶粒之一转角。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之辅 助参考点系为一特殊图案的一转角,其中该特殊图 案包含一十字形状。 8.一种即时校正缺陷位置图偏移之方法,该方法至 少包含: 选取至少一预定图案以做为一辅助参考点; 利用该辅助参考点来校正一缺陷扫描机台之一第 一原点座标; 利用该辅助参考点来校正一缺陷检视机台之一第 二原点座标; 比较该第一原点座标与该第二原点座标之位置向 量差,以计算出该缺陷扫描机台与该缺陷检视机台 间的一偏移距离;以及 根据该偏移距离来校正一缺陷位置图的一座标位 置。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,更包含读取该 第一原点座标与该缺陷位置图的步骤,于比较该第 一原点座标与该第二原点座标的步骤之前。 10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之 预定图案与该第一原点系为于同一晶粒中。 11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之 利用该辅助参考点来校正该缺陷检视机台的步骤, 系使用该预定图案的影像资料来自动校正该缺陷 检视机台的缺陷位置图偏移量。 12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之 利用该辅助参考点来校正该缺陷检视机台的步骤, 系使用该预定图案的座标资料来手动校正该缺陷 检视机台的缺陷位置图偏移量。 13.一种补偿缺陷扫描机台与缺陷检视机台间偏移 量之方法,该方法至少包含: 选取一原点与至少一辅助参考点于一缺陷扫描机 台; 利用该辅助参考点来校正该缺陷扫描机台之该原 点; 储存该辅助参考点之资料以做为一虚拟缺陷资料; 利用该缺陷扫描机台来扫描一基材上的至少一缺 陷,并储存该缺陷的资料为一真实缺陷资料; 选取另一原点于一缺陷检视机台; 利用相同之该辅助参考点来校正该缺陷检视机台 之一缺陷位置图偏移量; 读取该虚拟缺陷资料与该真实缺陷资料; 计算该缺陷扫描机台之该原点与该缺陷检视机台 之该另一原点间的一位置向量差,以得到该缺陷扫 描机台与该缺陷检视机台间的一偏移量;以及 根据该偏移量来修正该真实缺陷资料的一座标位 置。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之 原点系为该基材上的一晶粒之一转角。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 辅助参考点系位于该晶粒之内。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 辅助参考点系为一特殊图案的一转角。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 特殊图案系为一十字形状或为一文字。 18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之 辅助参考点之资料包括一座标位置与一影像。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之 利用该辅助参考点来校正该缺陷检视机台之该缺 陷位置图偏移量步骤,系使用该影像来进行自动校 正。 20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之 利用该辅助参考点来校正该缺陷检视机台之该缺 陷位置图偏移量步骤,系使用该座标位置来进行手 动校正。 图式简单说明: 第1图系绘示缺陷扫描机台及缺陷检视机台的相对 座标偏移图; 第2图系绘示依照本发明一较佳实施例于缺陷扫描 机台上的一种修正缺陷位置图偏移的方法流程图; 第3图系绘示一基材上具有特殊图案之晶粒的放大 图;以及 第4图系绘示依照本发明另一较佳实施例于缺陷检 视机台上的一种修正缺陷位置图偏移的方法流程 图。 |
