| 主权项 |
1.一种影像感测器之晶圆级封装,包含: 一矽晶圆,其具有一正面及一背面; 一影像感测电路,位于该矽晶圆之该正面上; 复数个输入/输出焊垫,位于该矽晶圆之该正面上; 一第一介电层,位于该等输入/输出焊垫下方; 复数个垂直导通电极,垂直导通该矽晶圆并分别电 连接至该等输入/输出焊垫; 一第三介电层,形成于该矽晶圆之该背面上,以及 该等垂直导通电极与该矽晶圆之间; 复数个线路,形成于该第三介电层之一背面,该等 线路系分别透过该等垂直导通电极而电连接至该 等输入/输出焊垫; 复数个焊料凸块,分别电连接至该等线路;及 一透明基板,其系透过一黏合材料而黏着于该矽晶 圆上。 2.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之晶圆 级封装,其中该黏合材料覆盖该影像感测电路以外 至该矽晶圆边界之区域范围但不覆盖该影像感测 电路。 3.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之晶圆 级封装,其中该黏合材料完全覆盖该影像感测电路 及该等输入/输出焊垫。 4.如申请专利范围第1项所述之影像感测器之晶圆 级封装,其中各该垂直导通电极的穿孔形状系为柱 状、锥状或半球状。 5.一种影像感测器之晶圆级封装,包含: 一矽晶圆,其具有一正面及一背面; 一影像感测电路,位于该矽晶圆之该正面上; 复数个输入/输出焊垫,位于该矽晶圆之该正面上; 复数个垂直导通电极,垂直导通该矽晶圆并分别电 连接至该等输入/输出焊垫; 复数个沟槽,各该沟槽围绕各该垂直导通电极以外 之区域; 一乾膜,形成于该矽晶圆之该背面上,藉以与该等 输入/输出焊垫密封住该等沟槽; 复数个线路,形成于该乾膜之一背面,该等线路系 分别透过该等垂直导通电极而电连接至该等输入/ 输出焊垫; 复数个焊料凸块,分别电连接至该等线路;及 一透明基板,其系透过一黏合材料而黏着于该矽晶 圆上。 6.如申请专利范围第5项所述之影像感测器之晶圆 级封装,其中该黏合材料覆盖该影像感测电路以外 至该矽晶圆边界之区域范围但不覆盖该影像感测 电路。 7.如申请专利范围第5项所述之影像感测器之晶圆 级封装,其中该黏合材料完全覆盖该影像感测电路 及该等输入/输出焊垫。 8.如申请专利范围第5项所述之影像感测器之晶圆 级封装,其中各该垂直导通电极的穿孔形状系为柱 状、锥状或半球状。 9.一种影像感测器之晶圆级封装之制造方法,包含 以下步骤: 提供一矽晶圆,该矽晶圆之一正面上形成有一影像 感测电路以及复数个输入/输出焊垫且于各该焊垫 下形成有一第一介电层作为一蚀刻终止层; 透过一黏合材料而将一透明基板黏合于该矽晶圆 上; 于该矽晶圆之一背面形成一第二介电层,并于该第 二介电层上定义出对应于该等输入/输出焊垫之复 数个蚀刻窗以露出该矽晶圆; 透过该等蚀刻窗蚀刻该矽晶圆,以形成复数个垂直 穿孔,而停止于输入/输出焊垫下方之第一介电层; 移除该第一介电层,而使该等输入/输出焊垫从该 等穿孔露出; 于该等垂直穿孔侧壁与该矽晶圆之该背面形成一 第三介电层; 于该等垂直穿孔内形成复数个垂直导通电极; 于该第三介电层之一背面形成复数个线路,该等线 路电连接至该等垂直导通电极;及 于该等线路上形成复数个焊料凸块。 10.如申请专利范围第9项所述之影像感测器之晶圆 级封装之制造方法,更包含:在该透明基板黏合于 该矽晶圆上之后,研磨该矽晶圆使其变薄之步骤。 11.如申请专利范围第9项所述之影像感测器之晶圆 级封装之制造方法,其中该等垂直穿孔系透过高密 度电浆离子蚀刻法而形成。 12.如申请专利范围第9项所述之影像感测器之晶圆 级封装之制造方法,其中该等垂直导通电极系藉由 电化学沈积或物理沈积而形成。 13.如申请专利范围第9项所述之影像感测器之晶圆 级封装之制造方法,其中该黏合材料覆盖该影像感 测电路以外至该矽晶圆边界之区域范围但不覆盖 该影像感测电路。 14.如申请专利范围第9项所述之影像感测器之晶圆 级封装之制造方法,其中该黏合材料完全覆盖该影 像感测电路及该等输入/输出焊垫。 15.一种影像感测器之晶圆级封装之制造方法,包含 以下步骤: 提供一矽晶圆,该矽晶圆之一正面上形成有一影像 感测电路以及复数个输入/输出焊垫且于各该焊垫 下形成有一第一介电层作为一蚀刻终止层; 透过一黏合材料而将一透明基板黏合于该矽晶圆 上; 于该矽晶圆之一背面形成一第二介电层,并于该第 二介电层上定义出对应于该等输入/输出焊垫之复 数个蚀刻窗及围绕该等蚀刻窗之复数个环状沟槽 以露出该矽晶圆; 透过该等蚀刻窗蚀刻该矽晶圆,以形成复数个垂直 穿孔而停止于输入/输出焊垫下方之第一介电层, 并形成围绕该等垂直穿孔之复数个环状沟槽; 移除露出之该第一介电层,而使该等输入/输出焊 垫从该等垂直穿孔及该等环状沟槽露出; 移除该第二介电层; 于该矽晶圆之该背面形成一乾膜,藉以密封住该等 垂直穿孔及该等环状沟槽; 于该乾膜上形成对应于该等垂直穿孔之复数个接 触窗; 透过该等接触窗而于该等垂直穿孔内形成复数个 垂直导通电极; 于该乾膜之一背面形成复数个线路,该等线路电连 接至该等垂直导通电极;及 于该等线路上形成复数个焊料凸块。 16.如申请专利范围第15项所述之影像感测器之晶 圆级封装之制造方法,更包含:在该透明基板黏合 于该矽晶圆上之后,研磨该矽晶圆使其变薄之步骤 。 17.如申请专利范围第15项所述之影像感测器之晶 圆级封装之制造方法,其中该等垂直穿孔系透过高 密度电浆离子蚀刻法而形成。 18.如申请专利范围第15项所述之影像感测器之晶 圆级封装之制造方法,其中该等垂直导通电极系藉 由电化学沈积或物理沈积而形成。 19.如申请专利范围第15项所述之影像感测器之晶 圆级封装之制造方法,其中该黏合材料覆盖该影像 感测电路以外至该矽晶圆边界之区域范围但不覆 盖该影像感测电路。 20.如申请专利范围第15项所述之影像感测器之晶 圆级封装之制造方法,其中该黏合材料完全覆盖该 影像感测电路及该等输入/输出焊垫。 图式简单说明: 图1为传统影像感测器封装之示意图。 图2A至2D显示为世界专利WO02/51217 A2影像感测器之 晶圆级封装的局部结构示意图。 图3显示依据本发明第一实施例之影像感测器之晶 圆级封装的局部结构示意图。 图4A至4F为本发明之晶圆级封装之制作的局部流程 示意图。 图5显示依据本发明第二实施例之影像感测器之晶 圆级封装的局部结构示意图。 图6A至6C为各种垂直导通矽晶圆的穿孔形状。 图7显示依据本发明第三实施例之影像感测器之晶 圆级封装的局部结构示意图。 图8A至8F为本发明以第三实施例之晶圆级封装之制 作的局部流程示意图。 |
