| 主权项 |
1.一种金属连接线压印镶嵌结构之制造方法,系包 含: 步骤(A):藉一电子束微影术及一无电极电镀法以备 制一金属线模; 步骤(B):备制一旋涂式低介电层以供奈米转印;及 步骤(C):在该旋涂式低介电层上转印该金属线模以 制作该金属连接线。 2.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法, 其中,该步骤(A)系至少包含一步骤为藉该电子束微 影术以形成一图样于该光阻上,且至少包含另一步 骤为藉该无电极电镀法以沈积该金属线模。 3.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法, 其中,该步骤(B)系至少包含一步骤为稀释一旋涂式 低介电基板,且至少包含另一步骤为预烤该旋涂式 低介电基板以备制该旋涂式低介电层。 4.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法, 其中,该步骤(C)系至少包含一步骤为将该金属线模 压印至该旋涂式低介电层;且至少包含另一步骤为 自该旋涂式低介电层移除该金属线模以制作该金 属连接线。 5.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法,其中,该金属连接线之材料 系自金、铜、铂、铝、钛、钽、钌及钨中择其一 。 6.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法, 其中,该旋涂式低介电层之材料系自一旋转涂布玻 璃(spin on glass,SOG)、一含氢矽酸盐(hydrogen silsesquioxane,HSQ)、一甲基矽酸盐(Methyl Silsesquoxane, MSQ)、一有机矽化玻璃(Organosilicate Glass,OSG)、一聚 合物、一多孔隙甲基矽酸盐(Porous MSQ)、一多孔隙 聚合物(Porous Polymer)、一乾凝胶(Xero-Gel)及一超低 介电材料中择其一。 7.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法,其中,该旋涂式低介电层系 包含复数个孔洞与复数个沟槽。 8.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法,其中,该旋涂式低介电层系 包含复数个金属连接线。 9.依据申请专利范围第1项所述之金属连接线压印 镶嵌结构之制造方法, 其中,该制造系可进一步包含重覆执行复数次该步 骤(A)、该步骤(B)及该步骤(C)。 图式简单说明: 第1a~1c图系本发明之步骤(A)之示意图。 第1d图系本发明之步骤(B)之示意图。 第1e、1f图系本发明之步骤(C)之示意图。 第2a、2b图系本发明之压印所形成之奈米级HSQ沟槽 的SEM影像图。 第3a图系本发明之金属线的图案暴露于空气中四 天之前的光学显微镜影像图。 第3b图系本发明之金属线的图案暴露于空气中四 天之后的光学显微镜影像图。 第4图系本发明之金属线转印所形成之金之奈米级 金属线的SEM影像图。 第5a图系本发明之压印前HSQ电介质的电容电压曲 线图。 第5b图系本发明之压印后HSQ电介质的电容电压曲 线图。 第6a至第6e图系习用之金属线镶嵌结构之压印方法 的流程图。 |
