| 主权项 |
1.一种调整负载上力之磁致动器(MAC;RM),包括一第 一致动部分(MAC1;Y)及一第二致动部分(MAC2;L0),第一 致动部分包括一第一磁元件(M1;Y0)及一第二磁元件 (M2;Y1,Y2),第二致动部分(MAC2,L0)包括一第三磁元件(M 3;L0),第一及第二致动部分建构及配置成在一第一 方向之二部分间产生一磁力,负载接到第一或第二 致动部分,其特征为该磁致动器设置有一接到第一 (M1;Y0)及第二(M2;Y1,Y2)磁元件之移位元件(PE;PE2),用 以相对移位第一及第二磁元件。 2.如申请专利范围第1项之磁致动器(MAC;RM),其特征 为移位元件(PE;PE2)包括一压电元件。 3.如申请专利范围第1或2项之磁致动器(MAC),其中第 一磁元件及第二磁元件配置成在第一方向互相相 邻且藉由一第一间距(G1)而分离,移位元件(PE)配置 成在第一方向将第一磁元件(M1)相对于第二磁元件 (M2)移位,俾于第一致动部分(MAC1)与第二致动部分( MAC2)间之磁互动变化时,在第一方向产生调整力。 4.如申请专利范围第3项之磁致动器,其特征为该移 位元件(PE)在第一间距(G1)中。 5.如申请专利范围第3项之磁致动器,其特征为第一 磁元件(M1)及第二磁元件(M2)各包括一在第一方向 延伸之空洞,且该移位元件(PE)在第一磁元件(M1)之 空洞中及在第二磁元件(M2)之空洞中,该移位元件( PE)接到第一磁元件(M1)及第二磁元件(M2),且具有一 工作长度,其实质上等于该等第一及第二磁元件之 长度及第一间距(G1)之距离。 6.如申请专利范围第5项之磁致动器,其特征为移位 元件(PE)之位置与第一及第二磁元件(M1,M2)相邻,移 位元(PE)接到第一磁元件(M1)及第二磁元件(M2),且具 有一工作长度,其实质上等于该等第一及第二磁元 件之长度及第一间距(G1)之距离。 7.如申请专利范围第6项之磁致动器,其特征为为了 连接第一磁元件(M1)而设置一第一连接元件(B1),及 为了连接第二磁元件(M2)而设置一第二连接元件(B2 )。 8.如申请专利范围第1或2项之磁致动器(RM),其中第 一致动部分(Y)包括一上面部分(Y1),一下面部分(Y2), 及一中间部分(Y0),中间部分(Y0)设置有一面对轭(Y1) 之第一末端表面(YS1)的第一表面(YC1a),及一面对轭( Y1)之第二末端表面(YS2)的第二表面(YC2a);下面部分( Y2)位于中间部分(Y0)下方且包括一第一下面部分(Y 24)及一第二下面部分(Y25),第一及第二下面部分(Y24 ,Y25)沿着第一方向延伸;第一下面部分(Y24)配置具 有一面对中间部分(Y0)之第三表面(YC1b)的第三末端 表面(YS3),第二下面部分(Y25)配置具有一面对中间 部分(Y0)之第四表面(YC2b)的第四末端表面(YS4);磁致 动器在第一表面(YC1a)与第一末端表面(YS1)之间及 在第二表面(YC2a)与第二末端表面(YS2)之间设置第 一间距距离(GD1);磁致动器在第三表面(YC1b)与第三 末端表面(YS3)之间及在第四表面(YC2a)与第四末端 表面(YS4)之间设置第二间距距离(GD2);中间部分(Y0) 包括一第四磁铁(M4),其在第二方向具有一磁极化(P 4)。 9.如申请专利范围第8项之磁致动器,其特征为第二 磁元件(Y1)及第三磁元件(L0)系由第四磁铁(M4)感应 之磁铁。 10.如申请专利范围第8项之磁致动器,其特征为中 间部分(Y0)包括导引部分(YC1,YC2)以导引第四磁铁(M4 )之磁场。 11.如申请专利范围第8项之磁致动器,其特征为第 一表面(YC1a)及第一末端表面(YS1)相对于第一方向 系斜面,及第二表面(YC2a)及第二末端表面(YS2)相对 于第一方向系斜面。 12.如申请专利范围第1或2项之磁致动器(MAC;RM),其 特征为磁元件包括非磁性材料,如碳基聚合物或陶 瓷。 13.一种用于微影投射装置之支撑系统,其设置有如 申请专利范围第1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11 或12项之磁致动器(MAC;RM)。 14.一种微影投射装置,包括: 一辐射系统,用以提供一辐射投射束; 一支撑结构,用以支撑图案化构件,图案化构件根 据一期望图案而用以图案化投射束; 一基板桌,用以支持一基板;及 一投射系统,用以投射图案化射束至基板之一目标 部分上, 该装置设置有如申请专利范围第1或2项之磁致动 器。 15.一种微影投射装置,包括: 一辐射系统,用以提供一辐射投射束; 一支撑结构,用以支撑图案化构件,图案化构件根 据一期望图案而用以图案化投射束; 一基板桌,用以支持一基板;及 一投射系统,用以投射图案化射束至基板之目标部 分上, 该装置设置有如申请专利范围第13项之支撑系统 。 16.一种半导体装置制造方法,包括以下步骤: 提供一基板,其由一辐射敏感材料层至少部分地覆 盖; 使用一辐射系统而提供一辐射投射束; 使用图案化构件用投射束投射一图案在其剖面;及 投射图案化辐射束至该辐射敏感材料层之目标部 分上,其特征为设置有如申请专利范围第1或2项之 磁致动器,用以调整该半导体装置上的力。 图式简单说明: 图1说明一微影投射装置; 图2示意的显示根据本发明第一实例的磁致动器的 剖面图; 图3显示根据本发明的磁致动器的第二替代实例; 图4a显示根据第三实例的磁致动器的上视图; 图4b显示根据本发明第四实例的磁致动器; 图4c显示根据本发明第四实例的磁致动器的另一 配置; 图4d显示根据本发明第五实例的磁致动器; 图4e显示根据本发明第一实例的替代磁铁配置; 图5显示根据本发明第六替代实例的磁致动器,作 为磁致动器使用于大致水平方向操作; 图6示意的显示根据本发明第五实例的磁致动器剖 面图,作为压电致动磁阻马达使用; 图7示意的显示磁力的图形,作为根据本发明第五 实例磁致动器的移动部分的位置函数。 |
