| 发明名称 | 避免残留气体污染晶片的设备及方法 | ||
| 摘要 | 一种避免残留气体污染晶片的设备，此设备主要由一化学气相沉积机器、一输送管路、一清洁管路以及一逆止阀所构成。其中，输送管路与化学气相沉积机器连接，而清洁管路与输送管路连接。由于在清洁管路上配置有逆止阀，可避免残留气体由清洁管路回流至输送管路，进而对晶片造成污染。 | ||
| 申请公布号 | CN1763907A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200410088234.2 | 申请日期 | 2004.10.21 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 黄国华;戴政贤 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/285(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;吴秉芬 |
| 主权项 | 1、一种避免残留气体污染晶片的设备，该设备包括：一化学气相沉积机器，用以容置一晶片；一气体储存槽，适于至少提供一反应气体；一输送管路，连接于该气体储存槽及该化学气相沉积机器之间；一清洁管路，其一端与该输送管路连接；一转向阀，配置于该输送管路与该清洁管路的连接处；以及一逆止阀，配置于该清洁管路上，以防止残留气体回流至该输送管路，而对该晶片造成污染。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||