| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置,是在半导体基板 上具有:由具有浮动闸极及控制闸极之电晶体所构 成,并且排列成矩阵状的复数个记忆胞;使各记忆 胞元件分离的元件分离绝缘膜;以及相对于前述控 制闸极自我整合而形成源极线者,其中: 前述半导体基板的表面在前述源极线的形成区域 具有使前述记忆胞的部分形成凸部,使去除了前述 元件分离绝缘膜的部分形成凹部的周期性凹凸形 状, 前述源极线具有沿着前述半导体基板之表面分布 有杂质的扩散层;以及在比前述扩散层深的位置分 布有杂质的埋入扩散层,并且使前述埋入扩散层连 接位于前述凹部底面的两边扩散层。 2.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装 置,其中,在前述凸部使前述扩散层及前述埋入扩 散层相互连接。 3.如申请专利范围第1或第2项之非挥发性半导体记 忆装置,其中,无论是读取、写入、消去的任一个 动作,前述源极线系为接地电位或浮动状态。 图式简单说明: 第1图是本发明第1实施形态之非挥发性半导体记 忆装置的俯视图。 第2图是第1图的B-B'剖面的剖视图。 第3图是第1图的A-A'剖面的剖视图。 第4图是第1图的C-C'剖面的剖视图。 第5图是未形成埋入扩散层时的源极线形状的模式 剖视图。 第6图(a)至(d)是本发明第2实施形态之半导体记忆 装置之制造方法的步骤图。 第7图(e)至(g)是接续第6图之步骤的步骤图。 第8图(h)至(j)是接续第7图之步骤的步骤图。 第9图(k)至(n)是接续第8图之步骤的步骤图。 第10图(k)至(n)是从其他剖面显示第9图之步骤的步 骤图。 第11图(o)至(q)是接续第9图之步骤的步骤图。 第12图(r)至(s)是接续第11图之步骤的步骤图。 第13图是本发明第3实施形态之非挥发性半导体装 置当中,对应于第1图之A-A'剖面的剖视图。 第14图是本发明第4实施形态之非挥发性半导体装 置当中,对应于第1图之C-C'剖面的剖视图。 |
