| 主权项 |
1.一种三价六芽正-金属化铱错合物之制造方法,系 以铱错合物与配位化合物作为起始物,其特征在于 :使用下式(I)所示之单价铱二核错合物作为起始物 : (其中A表非-共轭二烯化合物;及X表卤素原子)。 2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中,三价六 芽正-金属化铱错合物系下式(II)、(III)、(IV)或(V) 所示化合物: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含氮芳 基;环D表视需要经取代之啶基;环B、C及D可视需 要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15烷氧基、卤C1-15烷 基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取代基所取代;X表卤 素原子;R1与R3各自独立地表C1-15烷基、C1-15烷氧基; R2表氢原子、C1-15烷基或C1-15烷氧基)。 3.一种式(II)所示之三价六芽正-金属化铱错合物之 制造方法: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含氮芳 基;环B及C可视需要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15烷 氧基、卤C1-15烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取代 基所取代;及X表卤素原子) 该方法包含将式(I)所示之单价铱二核错合物: (其中A表非-共轭二烯化合物;及X表卤素原子)与式( VI)所示化合物反应: (其中其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个 选自N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1 至3个选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂 芳基稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含 氮芳基;环B及C可视需要以1至2个选自C1-15烷基、C1- 15烷氧基、卤C1-15烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之 取代基所取代)。 4.一种式(III)所示之三价六芽正-金属化铱错合物 之制造方法: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含氮芳 基;环B及C可视需要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15烷 氧基、卤C1-15烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取代 基所取代;R1与R3各自独立地表C1-15烷基或C1-15烷氧 基;R2表氢原子、C1-15烷基或C1-15烷氧基) 该方法包含将式(I)所示之单价铱二核错合物: (其中A表非-共轭二烯化合物;及X表卤素原子) 与式(VI)所示化合物反应后: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表需要经取代之含氮芳基; 环B及C可视需要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15烷氧 基、卤C1-15烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取代基 所取代), 接着与式(VII)所示化合物反应: (其中R1与R3各自独立地表C1-15烷基或C1-15烷氧基;R2 表氢原子、C1-15烷基或C1-15烷氧基)。 5.如申请专利范围第4项之制造方法,其中,包含在 单槽中将式(I)所示之单价铱二核错合物与式(VI)所 示化合物反应后,接着与式(VII)所示化合物反应。 6.一种式(IV)所示之三价六芽正-金属化铱错合物之 制造方法: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含氮芳 基;环D表视需要经取代之啶基;及环B、C及D可视 需要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15烷氧基、卤C1-15 烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取代基所取代) 该方法包含将式(I)所示之单价铱二核错合物: (其中A表非-共轭二烯化合物;及X表卤素原子) 与式(VI)所示化合物反应后: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含氮芳 基;环B及C可视需要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15烷 氧基、卤C1-15烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取代 基所取代), 接着与式(VIII)所示化合物反应: (其中环D表视需要经取代之啶基)。 7.如申请专利范图第6项之制造方法,其中,包含在 单槽中将式(I)所示之单价铱二核错合物与式(VI)所 示化合物反应后,接着与式(VIII)所示化合物反应。 8.一种式(V)所示之三价六芽正-金属化铱错合物之 制造方法: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含氮芳 基;及环B及C可视需要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15 烷氧基、卤C1-15烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取 代基所取代) 该方法包含将式(I)所示之单价铱二核错合物: (其中A表非-共轭二烯化合物;及X表卤素原子) 与式(VI)所示化合物反应后: (其中环B表视需要经取代之芳基、具有1至2个选自 N、O或S之杂原子之5至6员单环杂芳基或具有1至3个 选自N、O或S之杂原子且由两个5至6员单环杂芳基 稠合之双环杂芳基;环C表视需要经取代之含氮芳 基;及环B及C可视需要以1至2个选自C1-15烷基、C1-15 烷氧基、卤C1-15烷基、卤C1-15烷氧基或卤原子之取 代基所取代), 接着与银盐及式(VI)所示化合物反应。 9.如申请专利范围第8项之制造方法,其中,包含在 单槽中将式(I)所示之单价铱二核错合物与式(VI)所 示化合物反应后,接着与银盐及式(VI)所示化合物 反应。 |
