| 主权项 |
1.一种缩小关键尺寸的方法,包括: 于一基底上形成一介电层; 于该介电层上形成一图案化光阻层,以暴露出部分 该介电层,其中该图案化光阻层具有一第一线宽; 以及 利用该图案化光阻层作为蚀刻罩幕,进行一蚀刻制 程,以去除暴露出的该介电层并使该介电层之最终 线宽小于该第一线宽,其中 该蚀刻制程之条件包括: 压力在80-400托之间;以及 该蚀刻制程所采用的气体包括一碳氟化合物与氧 气,其中该碳氟化合物对氧气的流量比大于0且小 于10。 2.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该碳氟化合物对氧气的流量比在4-8之间。 3.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该蚀刻制程更包括控制该碳氟化合物对氧 气的流量比,以控制介电层之最终线宽的大小。 4.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该蚀刻制程之条件更包括来源功率小于200 W。 5.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该蚀刻制程之条件更包括底部功率大于250 W。 6.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该蚀刻制程所采用的气体更包括一钝气, 该钝气的流量大于200sccm。 7.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该蚀刻制程之条件更包括温度在-50℃到50 ℃之间。 8.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该碳氟化合物系选自包括二氟甲烷、三氟 甲烷、二氟甲烷与四氟甲烷的混合物、三氟甲烷 与四氟甲烷的混合物、二氟甲烷与三氟甲烷的混 合物其中之一。 9.如申请专利范围第1项所述之缩小关键尺寸的方 法,其中该介电层之材质包括氧化矽、氮化矽或氮 氧化矽。 10.一种半导体蚀刻方法,适于在一压力与一温度下 ,在一蚀刻室中通入一蚀刻混合气体与一钝气,并 对该蚀刻室施加一来源功率以及一底部功率,以对 有一图案化光阻层遮盖的一介电层进行蚀刻,其特 征在于: 该压力在80-400托之间;以及 该蚀刻混合气体包括一碳氟化合物与氧气,其中该 碳氟化合物对氧气的流量比大于0且小于10,以同时 修整该图案化光阻层与去除暴露出之该介电层。 11.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 其中该碳氟化合物对氧气的流量比在4-8之间。 12.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 更包括控制该碳氟化合物对氧气的流量比,以控制 该介电层之关键尺寸的大小。 13.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 其中该来源功率小于200W。 14.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 其中该底部功率大于250W。 15.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 其中该钝气的流量大于200sccm。 16.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 其中该温度在-50℃到50℃之间。 17.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 其中该碳氟化合物系选自包括二氟甲烷、三氟甲 烷、二氟甲烷与四氟甲烷的混合物、三氟甲烷与 四氟甲烷的混合物、二氟甲烷与三氟甲烷的混合 物其中之一。 18.如申请专利范围第10项所述之半导体蚀刻方法, 其中该介电层之材质包括氧化矽、氟化矽或氮氧 化矽。 图式简单说明: 图1A至图1C绘示为习知一种缩小金氧半导电晶体闸 极关键尺寸之制作流程剖面图。 图2A至图2B绘示为依照本发明一较佳实施例缩小关 键尺寸的方法之制作流程剖面图。 |
