| 主权项 |
1.一种以氮化物为基础之半导体发光装置,包括: n型披覆层,由n型Alx1Iny1Ga(1-x1-y1)N(式中0≦x1≦1,0≦y 1≦1,及0≦x1+y1≦1)所制成; 形成于该n型披覆层上之由无掺杂InAGa1-AN(式中0<A<1 )所制成之多量子井结构的活性层;及 形成于该活性层上之p型披覆层,至少包含形成于 该活性层上之由p型Iny2Ga1-y2N(式中0≦y2<1)所制成之 第一层与形成于该第一层上之由p型Alx3Iny3Ga(1-x3-y3 )N(式中0<x3≦1,0≦y3≦1,及0<x3+y3≦1)所制成之第二 层。 2.如申请专利范围第1项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该第一层具有比该第二层更高 的掺杂浓度。 3.如申请专利范围第1项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该第一层具有约100nm或更小的厚 度。 4.如申请专利范围第3项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该第一层具有约10nm至约30nm的厚 度。 5.如申请专利范围第1项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该p型披覆层复包含形成于该第 二层上之由p型Iny4Ga1-y4N(式中0≦y4<1)所制成之第三 层。 6.如申请专利范围第5项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该第三层系由形成于该第二层 上之具有第一掺杂浓度的低浓度p型GaN半导体层, 及形成于该低浓度p型GaN半导体层上之具有高于该 第一掺杂浓度之浓度的高浓度p型GaN半导体层所构 成。 7.如申请专利范围第5项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该第二层具有约50nm至约200nm的 厚度。 8.如申请专利范围第7项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该p型披覆层具有至少160nm的厚 度。 9.如申请专利范围第1项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该第一层为GaN半导体层及该第 二层为AlGaN半导体层。 10.如申请专利范围第1项之以氮化物为基础之半导 体发光装置,其中,该n型披覆层为GaN半导体层。 图式简单说明: 第1图为习知的以氮化物为基础之半导体发光装置 的侧截面图; 第2图为根据本发明之一具体实施例,以氮化物为 基础之半导体发光装置的侧截面图; 第3图为根据本发明之另一具体实施例,以氮化物 为基础之半导体发光装置的侧截面图;及 第4图为将比较例1所制造之以氮化物为基础之半 导体发光装置与本发明之实施例1和2所制造之以 氮化物为基础之半导体发光装置间的亮度特征比 较图。 |
