光刻设备和器件制造方法

摘要

通过适当地选择照射配置、掩模透射和掩模偏置，可以利用足够的曝光宽容度来将接触孔的复杂图案成像，以便以最小半节距k₁＝0.40或0.40以下进行制造。在一个实施例中，提出了利用光刻设备将掩模图案的图像转移到衬底上的方法。所述方法包括：利用包含轴上和轴外成分的照射配置来照射衰减相移掩模的掩模图案，所述照射的轴外成分是在光瞳边缘附近延伸的环形照射；以及将已照射掩模图案的图像投射到衬底上。

主权项

1.一种利用光刻设备将掩模图案转移到衬底上的方法，所述光刻设备包括配置成提供一种或多种照射配置的施照体，所述方法包括：利用包含轴上和轴外成分的照射配置照射衰减相移掩模的掩模图案，所述照射的轴外成分是在所述施照体光瞳边缘附近延伸的环形照射，以及将所述照射的掩模图案投射到所述衬底上。