| 发明名称 | 形成用于闸电极图案化的硬遮罩的方法及对应的装置 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种于半导体装置中形成用于闸电极图案化的硬遮罩的方法及对应的装置，该方法包括提供欲蚀刻的一多晶硅层，以及在多晶硅层上方形成一氮化物硬遮罩，其中相较于氧化硅的蚀刻率，氮化物硬遮罩对稀氢氟酸具有相对高的蚀刻率。接着使用硬遮罩图案化多晶硅层，以及可使用氢氟酸去除硬遮罩。 | ||
| 申请公布号 | CN1761039A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200510007545.6 | 申请日期 | 2005.02.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建豪;陈嘉仁;李资良;陈昭成;陈世昌 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01);H01L21/033(2006.01) | 主分类号 | H01L21/308(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种形成半导体装置的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供欲蚀刻的一多晶硅层；在该多晶硅层上方形成一氮化物硬遮罩，相较于氧化硅的蚀刻率，该氮化物硬遮罩对稀氢氟酸具有相对高的蚀刻率；使用该硬遮罩图案化该多晶硅层；以及之后去除该硬遮罩。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||