| 发明名称 | 底栅极薄膜晶体管、具有其的平板显示器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管(TFT)、具有其的平板显示器及其制备方法。TFT包括设置在衬底上的栅电极和设置在栅电极上的栅绝缘层。半导体层设置在栅绝缘层上来从该栅绝缘层上跨过，该半导体层通过金属诱导横向结晶(MILC)技术结晶。内绝缘层设置在半导体层上，并且包括源极和漏极接触孔。源极和漏极接触孔暴露半导体层的一部分，并且从跨过栅电极上的半导体层的至少一条边缘分隔开。源电极和漏电极分别设置在源极和漏极接触孔中半导体层暴露的部分上。半导体层包括对应于暴露在源极和漏极接触孔中的半导体的部分的导电金属诱导结晶(MIC)区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1761074A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200510106847.9 | 申请日期 | 2005.09.26 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 李根洙 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管，包括：栅电极，设置在衬底上；栅绝缘层，设置在所述栅电极上；半导体层，设置在所述栅绝缘层上并从所述栅电极上跨过，其中，所述半导体层通过金属诱导横向结晶技术结晶；内绝缘层，设置在所述半导体层上并包括暴露所述半导体层的部分的源极和漏极接触孔，其中，每个所述源极和漏极接触孔的至少一条边缘与跨过所述栅电极的半导体层的至少一条边缘间隔开一最小距离；以及源电极和漏电极，分别设置在所述源极和漏极接触孔中的半导体层暴露的部分上；其中，所述半导体层包括对应于所述源极和漏极接触孔中的半导体层暴露的部分的金属诱导结晶区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||