发明名称 |
一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法 |
摘要 |
本发明属材料的表面物理化学领域。现有无机材料疏水性的研究,主要是用非晶碳薄膜,但难实现良好的透明性,且化学稳定性不如氮化硼薄膜。一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄膜,厚度在0.2微米到2.5微米的范围;然后将真空室中充入氩气,并控制工作气压在0.2~4.0Pa,施加射频电磁场,射频功率在50~200W,利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜表面进行刻蚀,刻蚀时间控制在5~30分钟。为了提高刻蚀效果,可充入体积百分比为15%~80%的含氟气体。本发明的氮化硼薄膜表面不仅具有良好的疏水性能,并保持良好的透明性,适用于在需要透明、防雾、防水及易清洁的固体表面处理。 |
申请公布号 |
CN1760407A |
申请公布日期 |
2006.04.19 |
申请号 |
CN200510114853.9 |
申请日期 |
2005.11.18 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
王波;李国星;宋雪梅;严辉;汪浩;朱满康;侯育冬;王如志;张铭 |
分类号 |
C23C28/00(2006.01);C23C14/00(2006.01);C23C16/34(2006.01);C23F4/04(2006.01) |
主分类号 |
C23C28/00(2006.01) |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
1、一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)、用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄 膜,厚度在0.2微米到2.5微米的范围; 2)然后将真空室中充入氩气,并控制工作气压在0.2~4.0Pa,施加射频 电磁场,射频功率在50~200W,利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜 表面进行刻蚀,刻蚀时间控制在5~30分钟。 |
地址 |
100022北京市朝阳区平乐园100号 |