发明名称 |
在GaN基板上的发光二极管芯片和用GaN基板上的发光二极管芯片制造发光二极管元件的方法 |
摘要 |
本发明涉及两种发光二极管芯片。一种芯片具有一个导电的和辐射能穿透的衬底,外延层序列(3)在其背离衬底(2)的p型区(9)上基本上整个面积设置了一层反射的、可压焊的p型接触层(6),衬底(2)在其背离外延层序列(3)的主面(10)上设置了一层金属化接触(7),该接触只覆盖该主面(10)的一部分;从芯片(1)的光输出是通过衬底(2)的主面(10)的自由区和通过芯片侧面(14)来实现的。另一种发光二极管芯片则只具有外延层,p型导电外延层(5)在其背离n型导电外延层(4)的主面(9)上基本上整个面积设置了一层反射的、可压焊的p型接触层(6),而n型导电外延层(4)则在其背离p型导电外延层(5)的主面(8)上设置了一层n型接触层(7),该接触层只覆盖该主面的一部分;从芯片(1)的光输出是通过n型导电外延层(4)的主面(8)的自由区和通过芯片侧面(14)来实现的。 |
申请公布号 |
CN1252837C |
申请公布日期 |
2006.04.19 |
申请号 |
CN01808734.5 |
申请日期 |
2001.03.16 |
申请人 |
奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
发明人 |
S·巴德;B·哈赫恩;V·赫尔勒;H·-J·卢高尔;M·芒德布罗德-范格罗 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
苏娟;赵辛 |
主权项 |
1.发光二极管芯片(1),具有一个发光的外延层序列(3),该外延层序列具有带n型导电区(8)的GaN基体上的一层n型导电外延层(4)和一层p型导电外延层(5)并设置在一个导电的衬底(2)上,该衬底(2)对该外延层序列(3)发出的辐射是可穿透的,外延层序列(3)在其背离衬底(2)的p型区(9)上基本上整个面积设置了一层反射的、可压焊的p型接触层(6),衬底(2)在其背离外延层序列(3)的主面(10)上设置了金属化接触(7),该接触只覆盖该主面(10)的一部分,从芯片(1)的光输出是通过衬底(2)的主面(10)的自由区和通过芯片侧面(14)来实现的,其特征为,p型接触层(6)具有一层设置在P型区(9)上的透光的第一层(15)和一层设置在该第一层上的反射的第二层(16)。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |