具有辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法

摘要

发光二极管芯片(1)，具有一个基于GaN的进行辐射的外延层序列(3)，该外延层序列具有一个有源区(19)、一个n掺杂层(4)和一个p掺杂层(5)。所述p掺杂层(5)在其背向有源区(19)的主面(9)上设有进行反射的接触金属敷层(6)，该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层(15)和一个进行反射的层(16)，所述穿透辐射的接触层(15)被布置在所述p掺杂层(5)和所述反射层(16)之间，而且所述接触层(15)是一个非闭合层。另外还给出了一种用薄膜技术制造这种发光二极管芯片的方法以及一种具有这种发光二极管芯片的发光二极管器件。

主权项

1.发光二极管芯片(1)，具有-一个基于GaN的进行辐射的外延层序列(3)，该外延层序列具有一个有源区(19)、一个n掺杂层(4)和一个p掺杂层(5)，-一个分配给所述p掺杂层(5)的进行反射的接触金属敷层(6)，该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层(15)和一个进行反射的层(16)，而且所述穿透辐射的接触层(15)被布置在所述p掺杂层(5)和所述反射层(16)之间，以及-所述接触层(15)是一个非闭合层。