| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。 | ||
| 申请公布号 | CN1252816C | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN00101038.7 | 申请日期 | 2000.01.11 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;柴田宽;福永健司 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;张志醒 |
| 主权项 | 1.在同一衬底上具有驱动电路单元和像素单元的半导体器件，其中：所述驱动电路单元的驱动TFT，和所述像素单元的像素TFT，各自具有膜厚相互不同的栅绝缘膜；和制作在所述像素单元中的存储电容器的介质的膜厚度与所述驱动TFT的栅绝缘膜厚度相同。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||