| 发明名称 | 用于金属氧化物层或膜沉积的前体 | ||
| 摘要 | 用于MOCVD技术的稀土金属前体具有通式OCR<SUP>1</SUP>(R<SUP>2</SUP>)CH<SUB>2</SUB>X的配体，其中R<SUP>1</SUP>是H或烷基，R<SUP>2</SUP>是任选被取代的烷基，X选自OR和NR<SUB>2</SUB>，其中R是烷基或被取代的烷基。还描述了生产这种前体的方法以及从这种前体沉积金属氧化层的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1761674A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200480007136.X | 申请日期 | 2004.03.11 |
| 申请人 | 埃普切公司 | 发明人 | A·C·琼斯 |
| 分类号 | C07F5/00(2006.01);C23C16/40(2006.01) | 主分类号 | C07F5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1.用于MOCVD技术的稀土金属前体，具有通式OCR1(R2)CH2X的配体，其中R1是H或烷基，R2是任选被取代的烷基，X选自OR和NR2，其中R是烷基或被取代的烷基。 | ||
| 地址 | 英国莫西赛德郡 | ||