发明名称 |
清洗和调理等离子体反应腔体的方法 |
摘要 |
一种清洗和调理等离子体反应腔体内表面的方法,在该腔体中加工例如硅晶片的基片。该方法包括例如通过湿洗或就地等离子体清洗的清洗腔体,将调理气体通入到腔体中,将调理气体激发成等离子体,在内表面上沉积一层聚合物层和加工基片。进行调理步骤可在腔体内没有例如晶片的基片,而且在加工晶片产品之前不用使调理晶片通过腔体而进行加工步骤。在用于蚀刻铝的等离子体反应腔体的情况下,调理气体能够包括含氟气体,含碳气体和含氯气体。 |
申请公布号 |
CN1252313C |
申请公布日期 |
2006.04.19 |
申请号 |
CN00817448.2 |
申请日期 |
2000.12.08 |
申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
B·C·理查德森;D·奥特卡 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01);H01J37/32(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
陈季壮 |
主权项 |
1.一种清洗和调理其中加工基片的等离子体反应腔体的方法,包括以下步骤:(a)清洗等离子腔体以去除在腔体内表面上积累的沉积物;(b)将包含含氟气体和含碳气体的调理气体通入到腔体中,将调理气体激发成等离子体,和利用等离子体在腔体的内表面沉积一聚合物层,由此调理腔体,所述调理步骤在腔体没有基片时进行;和(c)在沉积步骤后在腔体中加工基片。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |