衬底处理装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置，具有反应管203、加热硅晶片200的加热器207，将三甲基铝(TMA)和臭氧(O₃)交替供给至反应管203内，从而在晶片200的表面形成Al₂O₃膜，所述装置的特征为，具有使臭氧和TMA分别流通的供给管232a、232b、以及向反应管203内供给气体的喷嘴233，使2根供给管232a、232b在反应管203内低于晶片200附近温度的温度区域与配置于加热器207内侧的喷嘴233连接，臭氧和TMA通过喷嘴233分别供给至反应管203内。

主权项

1、一种衬底处理装置，所述装置具有容纳衬底的处理室和加热所述衬底的加热部件，将相互反应的至少2种气体交替供给至所述处理室内，在所述衬底的表面形成所希望的膜，该装置的特征为，具有使所述2种气体分别相互独立地流通的2根供给管和单一的气体供给部件，该单一的气体供给部件向所述处理室内供给气体，所述气体供给部件的一部分延伸存在于所述2种气体中至少一种气体的分解温度或分解温度以上的区域中；所述2根供给管在低于所述至少1种气体的分解温度的位置与所述气体供给部件连接，将所述2种气体分别通过所述气体供给部件供给至所述处理室内。