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发明名称
多层电极电容之制造方法
摘要
一种具有多层电极结构之电容。系在半导体基材或绝缘层中产生一沟渠。在此沟渠内形成两组导电层。第一组导电层之各层均电性连通,第二组导电层之各层间电性连通,且第一组与第二组之各导电层相互穿插排列,并在每一导电层之间均有一介电层而形成多电极之电容结构。
申请公布号
TW200612565
申请公布日期
2006.04.16
申请号
TW093131065
申请日期
2004.10.13
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
吴孝哲
分类号
H01L29/92;H01L21/8239
主分类号
H01L29/92
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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