| 摘要 |
Es wird hier ein Verfahren zur Bildung einer Isolationsschicht eines Halbleiterbauelements offenbart. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Isolationsschicht gebildet und es wird dann ein Aushärtungsprozess ausgeführt, um Ausgasquellen, die in der Isolationsschicht enthalten sind, zu entfernen. Punkte, Nebenprodukte oder CH Radikale, welche auf der Oberfläche der Isolationsschicht gebildet werden, werden dann durch thermische Behandlung entfernt. Daher wird die Erzeugung von Defekten auf der Oberfläche der Isolationsschicht minimiert, und es wird ein Versagen, wie etwa gebrochene oder dünne Strukturen, die auf der Isolationsschicht gebildet sind, verhindert. Daher ist die vorliegende Erfindung darin vorteilhaft, dass sie eine Zuverlässigkeit eines Prozesses und elektrische Eigenschaften von Bauelementen verbessern kann.
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