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Ein lateraler Halbleitertransistor (500, 600) weist einen Halbleiterkörper (1) auf, in dem ein Sourcegebiet (7), ein Bodygebiet (8) und ein Draingebiet (9), ein sich zwischen Bodygebiet (8) und Draingebiet (9) in lateraler Richtung erstreckendes Driftgebiet (3) sowie ein Gate (28) ausgebildet sind. Das Gate ist innerhalb eines im Halbleiterkörper ausgebildeten Trenchs eingebettet und dient zur Steuerung vertikaler Stromflüsse zwischen dem Sourcegebiet (7) und dem Driftgebiet (3). Die Längsausrichtung des Trenchs (4) entspricht der Längsausrichtung des Driftgebiets (3).
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