| 发明名称 | 具有T型接触电极的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 具有横截面为T形的金属接触电极的半导体器件的制造方法，特别是具有T形栅场效应晶体管的半导体件的制造方法，其中借助在材料边缘上形成隔离层实现栅基和栅头的自调位置。 | ||
| 申请公布号 | CN1251313C | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN02803622.0 | 申请日期 | 2002.01.14 |
| 申请人 | 单片集成电路半导体两合股份有限公司 | 发明人 | 达格·贝哈莫尔 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L21/338(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.制造半导体件的方法，用于制造具有一横截面为T形的金属接触电极，特别是具有T形栅场效应晶体管，其中电极基的位置和宽度通过在材料边缘上淀积的作为隔离层的辅助层确定，其特征在于，其隔离层(12b)同时作为宽电极头的位置标记。 | ||
| 地址 | 德国乌耳姆市 | ||