| 主权项 |
1.一种原子力显微镜探针装置,其包括: 一探针座; 一固定于探针座之悬臂,其具有至少一可设置针尖 之末端;及 设置于该悬臂末端用作针尖之奈米碳管, 其中,该探针悬臂末端之顶部形成有一具孔洞之平 面,该奈米碳管系由该孔洞基本垂直于该平面长出 。 2.如申请专利范围第1项所述之原子力显微镜探针 装置,其中,所述之孔洞之孔径为20-100奈米。 3.如申请专利范围第1项所述之原子力显微镜探针 装置,其中,所述之悬臂系由氮化矽制成。 4.一种原子力显微镜探针装置之制造方法,其包括 步骤: 提供一具至少一需设置针尖之末端之原子力显微 镜悬臂; 于该末端之顶部形成一平面; 采用X光深刻电铸模造制程于该平面形成一孔洞; 采用化学气相沈积法于该孔洞生长出与该平面基 本垂直以用作针尖之奈米碳管。 5.如申请专利范围第4项所述之原子力显微镜探针 装置之制造方法,其中,采用切割打磨方法于该末 端之顶部形成一平面。 6.如申请专利范围第4项所述之原子力显微镜探针 装置之制造方法,其中,所述之X光深刻电铸模造制 程包括步骤: 于该平面形成具预定图案之光阻材料层; 蚀刻该平面以使其形成与光阻材料层相应之预定 图案; 去除光阻材料层。 7.如申请专利范围第6项所述之原子力显微镜探针 装置之制造方法,其中,所述之蚀刻基底表面之步 骤系采用反应性离子蚀刻法进行。 8.如申请专利范围第6项所述之原子力显微镜探针 装置之制造方法,其中,所述之具预定图案之光阻 材料层之形成方法包括步骤: 提供一设置有预定图案之光罩; 于该平面形成一光阻材料层; 将光罩置于光阻材料层上并于X光中曝露一定时间 ; 采用处理液使光阻材料层显现预定图案。 9.如申请专利范围第4项所述之原子力显微镜探针 装置之制造方法,其中,所述之孔洞之孔径为20-100 奈米。 10.如申请专利范围第4项所述之原子力显微镜探针 装置之制造方法,其中,所述之采用化学气相沈积 法于该孔洞生长出与该平面基本垂直之奈米碳管 之步骤包括步骤: 于该平面沈积催化剂; 提供一碳源气,并使其于预定温度与催化剂接触使 得奈米碳管由孔洞中基本垂直于该平面长出。 11.如申请专利范围第10项所述之原子力显微镜探 针装置之制造方法,其中,催化剂仅分布于顶部之 孔洞中。 12.如申请专利范围第10项所述之原子力显微镜探 针装置之制造方法,其中,所述之预定温度为550-1000 ℃。 13.如申请专利范围第10项所述之原子力显微镜探 针装置之制造方法,其中,所述之碳源气选自乙炔 、甲烷和乙烯。 14.如申请专利范围第10项所述之原子力显微镜探 针装置之制造方法,其中,可用电子束蒸镀、溅射 或涂敷等方法将催化剂沈积于该平面。 15.如申请专利范围第10项所述之原子力显微镜探 针装置之制造方法,其中,所述之催化剂系选自铁 、钴、镍及其氧化物的一种或多种物质。 16.如申请专利范围第4项所述之原子力显微镜探针 装置之制造方法,其中,该制造方法可进一步包括 将所得之探针悬臂固定于AFM之探针座之步骤。 图式简单说明: 第一图系本发明之AFM探针装置之示意图; 第二图系本发明之制造上述AFM探针装置之方法之 流程示意图; 第三图系本发明提供之LIGA制程于平面57'形成孔洞 58'之流程示意图; 第四图系本发明提供之化学气相沈积法于孔洞58' 生长奈米碳管之流程示意图。 |
