对准标记之形成方法

摘要

本发明之对准标记之形成方法可一面抑制对准标记所占有之区域的增加，而一面减少因检测出形成于下层之对准标记所造成的影响。第一，形成沟31，构成对准标记。第二，形成沟32，并将金属埋入沟31、32中。在检测标记之位置时，依被埋入金属之沟32，沟31之位置不会被检测出。第三，形成形状与沟31相同之沟33。第四，形成沟34，并将金属埋入沟33、34中。在检测标记之位置时，依被埋入金属之沟34，下层之沟32之位置不会被检测出。以下，随着叠层数之增加，重复第三及第四步骤。

主权项

1.一种对准标记之形成方法,具备: (a)于绝缘层中同时形成第1图案及第1对准标记之 步骤;及 (b)在上述步骤(a)之后,于上述绝缘层中同时形成第 2图案及第2对准标记之步骤; 在第1指定位置,上述第2对准标记系于上述绝缘层 中覆盖上述第1对准标记。 2.如申请专利范围第1项之对准标记之形成方法,其 中,上述第2对准标记系于上述第1指定位置被检测 出。 3.如申请专利范围第1或2项之对准标记之形成方法 ,其中,上述第1图案为配线。 4.如申请专利范围第1或2项之对准标记之形成方法 ,其中,上述第2图案为栓塞。 5.如申请专利范围第1或2项之对准标记之形成方法 ,其中,上述绝缘层具有第1绝缘层及叠层于上述第1 绝缘层之第2绝缘层,且该方法具备: (A)针对上述第1绝缘层,进行上述步骤(a)及上述步 骤(b)之步骤; (B)覆盖上述第1绝缘层及上述第2对准标记以形成 上述第2绝缘层之步骤;及 (C)于上述第2绝缘层中同时形成第3图案及第3对准 标记之步骤; 在第2指定位置,上述第3对准标记系覆盖上述第2对 准标记。 6.如申请专利范围第5项之对准标记之形成方法,其 中,上述第3对准标记系于上述第2指定位置被检测 出。 7.如申请专利范围第5项之对准标记之形成方法,其 中,上述第3图案为配线。 8.如申请专利范围第1或2项之对准标记之形成方法 ,其中,上述绝缘层具有第1绝缘层及叠层于上述第1 绝缘层之第2绝缘层,且该方法具备: (A)针对上述第1绝缘层,进行上述步骤(a)及上述步 骤(b)之步骤; (B)覆盖上述第1绝缘层及上述第2对准标记以形成 上述第2绝缘层之步骤;及 (C)于上述第2绝缘层中同时形成第3图案及第3对准 标记之步骤; 在第2指定位置,上述第3对准标记系位于上述第2对 准标记之内侧。 9.如申请专利范围第8项之对准标记之形成方法,其 中,上述第3对准标记系于上述第2指定位置被检测 出。 10.如申请专利范围第8项之对准标记之形成方法, 其中,上述第3图案为配线。 11.如申请专利范围第1或2项之对准标记之形成方 法,其中,上述绝缘层具有第1绝缘层及叠层于上述 第1绝缘层之第2绝缘层; 上述步骤(a)具有: (a-1)于第1绝缘层中,形成上述第1图案及第1对准标 记之步骤,及 (a-2)覆盖上述第1绝缘层及上述第1对准标记以形成 上述第2绝缘层之步骤; 在上述步骤(b),于上述第2绝缘层中,形成有上述第2 图案及上述第2对准标记。 12.一种对准标记之形成方法,具备: (a)于第1绝缘层中同时形成第1图案及第1对准标记 之步骤; (b)覆盖上述第1绝缘层及上述第1对准标记以形成 上述第2绝缘层之步骤, (c)于上述第2绝缘层中同时形成第2图案及第2对准 标记之步骤; 在指定位置,上述第2对准标记系位于上述第1对准 标记之内侧。 13.如申请专利范围第12项之对准标记之形成方法, 其中,上述第2对准标记系于上述指定位置被检测 出。 14.如申请专利范围第12或13项之对准标记之形成方 法,其中,上述第1图案为配线。 15.如申请专利范围第12或13项之对准标记之形成方 法,其中,上述第2图案为栓塞。 图式简单说明: 图1(a)至(c)系分别说明实施形态1之概念剖面图俯 视图及波形图。 图2(a)至(c)系分别说明实施形态1之概念剖面图俯 视图及波形图。 图3(a)至(c)系分别说明实施形态1之概念剖面图俯 视图及波形图。 图4(a)至(c)系分别说明实施形态1之概念剖面图俯 视图及波形图。 图5(a)至(c)系分别说明实施形态2之概念剖面图俯 视图及波形图。 图6(a)至(c)系分别说明实施形态2之概念剖面图俯 视图及波形图。 图7(a)及(b)系分别说明实施形态3之概念剖面图及 俯视图。 图8(a)及(b)系分别说明实施形态3之概念剖面图及 俯视图。 图9(a)及(b)系分别说明实施形态3之概念剖面图及 俯视图。 图10(a)及(b)系分别说明实施形态3之概念剖面图及 俯视图。