等离子体处理装置及等离子体处理方法

摘要

在一种用于对硅晶片(6)实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该硅晶片(6)具有粘附于电路形成面上的保护带(6a)，且该硅晶片(6)安装于一安装表面(3d)上，该安装表面设置于由导电金属形成的下电极(3)的上表面上，且保护带(6a)转向该安装表面(3d)。当一直流电压藉由供静电吸附用的直流电源部(18)施加于下电极(3)上以在等离子体处理中吸附且固定该硅晶片(6)于该下电极(3)上时，该保护带(6a)被用作供静电吸附用的介电材料。因而，该介电材料可尽量地薄，且该硅晶片(6)可被足够的静电保持力固定。

主权项

1.一种等离子体处理装置，用于对半导体衬底实施等离子体处理，该半导体衬底在表面上具有一绝缘层，该装置包含：衬底安装部，其设置有安装表面，该安装表面具有暴露于该安装表面的至少一部分的导体，并作用为将半导体衬底以绝缘层侧转向该安装表面的方式安装；用来通过静电吸附将半导体衬底固定于安装表面上的静电吸附装置；以及等离子体发生装置，用于产生等离子体，以处理安装在安装表面上的半导体衬底；其中，半导体衬底的所述绝缘层用作供静电吸附用的介电材料。