| 发明名称 | 电介质阻挡层膜 | ||
| 摘要 | 依照本发明，提出一种电介质阻挡层。依照本发明的阻挡层包含用脉冲－DC、衬底偏压的物理气相沉积法沉积在衬底上的致密化的无定形电介质层，其中致密化的无定形电介质层是阻挡层。依照本发明的形成阻挡层的方法包括提供衬底，并用脉冲－DC、偏压、宽靶物理气相沉积方法在衬底上沉积高度致密的、无定形的、电介质材料。而且，该方可以包括在衬底上进行软金属透气处理。这样的阻挡层可以用作电学层、光学层、免疫学层或摩擦层。 | ||
| 申请公布号 | CN1756856A | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN200480005515.5 | 申请日期 | 2004.02.26 |
| 申请人 | 希莫菲克斯公司 | 发明人 | 穆昆丹·纳拉西姆汉;理查德·E·德马雷;彼得·布鲁克斯 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/58(2006.01);H01L51/30(2006.01);C23C14/02(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1、一种电介质层，该层包含：以脉冲-DC、衬底偏压的物理气相沉积法沉积在衬底上的致密化的无定形电介质层，其中致密化的无定形电介质层是阻挡层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||