| 发明名称 | 用于防止干涉式调制器静电放电的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种MEMS装置，例如一干涉式调制器，其包括一能够将由所述MEMS装置中的一电导体载送的过电流分流接地的集成ESD保护元件。所述保护元件可为一个二极管，并可通过在形成所述MEMS装置的衬底上沉积复数个经掺杂的半导体层来形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1755502A | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN200510105831.6 | 申请日期 | 2005.09.23 |
| 申请人 | IDC公司 | 发明人 | 菲利浦·D·弗洛伊德 |
| 分类号 | G02F1/21(2006.01);G02B26/00(2006.01);G09G3/34(2006.01) | 主分类号 | G02F1/21(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1、一种MEMS装置，其包括：一可移动元件；一电导体，其经构造以载送一可有效地激励所述可移动元件的激励电流；及一保护元件，其以可操作方式附接至所述电导体，并经构造以至少部分地将由所述电导体载送的一过电流分流接地，所述可移动元件、电导体及保护元件集成于一衬底上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||