| 发明名称 |
Method of fabricating a bidirectionally blocking power semiconductor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0933819(B1) |
申请公布日期 |
2006.04.05 |
| 申请号 |
EP19990100512 |
申请日期 |
1999.01.12 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SCHULZE, HANS-JOACHIM DR. |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/744;H01L21/18;H01L21/332;H01L21/76;H01L21/78;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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