| 发明名称 | 半导体存储器及其数据读出方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器，包括：存储器单元阵列和微分放大和锁存电路，在第一执行时间操作情况下锁存和输出从存储器单元阵列输出的每对信号对，在第二执行时间操作情况下，放大从存储器单元阵列输出的每对信号对的电压差。 | ||
| 申请公布号 | CN1249724C | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN02130381.9 | 申请日期 | 2002.06.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金炳喆;裵元一 |
| 分类号 | G11C11/40(2006.01);G11C11/4063(2006.01);G11C7/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽;马莹 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器，包括：存储器单元阵列；微分放大和锁存电路，在第一执行时间操作的情况下，用于锁存和输出从存储器单元阵列输出的每对信号对，和在第二执行时间操作情况下，用于放大从存储器单元阵列输出的每对信号对的电压差。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||