| 发明名称 | 具有多种照射图形的单步半导体处理系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高生产量系统和在低温下沉积到衬底上的薄膜半导体的再结晶工艺。用激光光束照射薄膜半导体工件来熔化和再结晶暴露在激光光束的表面目标区域。使用图形掩模，使激光光束成形为一个或多个波束。掩模图形具有合适的尺寸和方向来图形化激光光束照射，使得由波束对准的区域具有传导到半导体再结晶的尺寸和方向。在高速条件下工件沿着相对应激光光束的线性路径机械地平移来处理工件的表面。位置灵敏的触发激光可被用于产生激光脉冲，来熔化和再结晶电动平台上平移的工件时精确地位于工件表面上的半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1757093A | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN03819047.8 | 申请日期 | 2003.08.19 |
| 申请人 | 纽约市哥伦比亚大学托管会 | 发明人 | J·S·艾姆 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/36(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1、一种提高半导体薄膜结晶质量的再结晶方法，包括下述步骤：(a)利用一辐射束脉冲照射半导体薄膜表面的第一区域，其中所述辐射束首先被图形化成一波束图形中的至少一个波束，其中每个波束入射到第一区域中的目标区域上，每个波束具有足够的流量来熔化其所入射的目标区域中的半导体材料，并且在所述目标区域中熔化的半导体材料当它不再暴露于所述入射波束时再结晶；并且(b)相对于所述辐射束，连续地平移半导体薄膜，使得以与步骤(a)相同的方式照射半导体薄膜表面的下一个区域。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||