发明名称 |
硅锗/硅三维集成电路有源层 |
摘要 |
本实用新型公开了一种硅锗/硅三维集成电路有源层结构,以提高现有三维集成电路的速度。其方案是分别采用单晶Si和SiGe/Si构建新的三维集成电路的两个有源层。其中,第一有源层采用Si SOI或Si衬底制作n型沟道MOS场效应晶体管nMOS;第二有源层采用SiGe/Si SOI衬底制作p型沟道MOS场效应晶体管pMOS。两层之间采用低温技术实现键合,且第二有源层材料及器件制作也在低温下完成,避免了高温过程对前序有源层器件结构的影响,保证了三维集成电路的交直流电学性能。本实用新型可用于制作三维CMOS集成电路,也可用于制作三维BiCMOS集成电路。基于SiGe/SipMOS场效应晶体管空穴迁移率高的特点,与现有三维集成电路相比,用本实用新型制作的三维集成电路具有速度快和性能好的优点。 |
申请公布号 |
CN2770088Y |
申请公布日期 |
2006.04.05 |
申请号 |
CN200420085825.X |
申请日期 |
2004.08.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
张鹤鸣;胡辉勇;戴显英;舒斌;王喜媛;朱国良;王伟;黄大鹏 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L27/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 |
代理人 |
王品华;黎汉华 |
主权项 |
1.一种硅锗/硅三维集成电路有源层,包括两层,其特征在于第一有源层采用绝缘体上硅Si SOI结构,即在绝缘层上的单晶硅衬底上制作n型沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管nMOS;第二有源层采用绝缘体上硅锗/硅SiGe/Si SOI结构,即利用绝缘层上的单晶硅锗/硅制作p型沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管pMOS。 |
地址 |
710071陕西省西安市太白路2号 |