| 摘要 |
提升半导体装置之性能及制造产率。其解决手段为在半导体基板上经由闸极绝缘膜用之绝缘膜形成多晶矽膜5(步骤S1)后，在多晶矽膜5上形成有机系之反射防止膜21(步骤S2)，在反射防止膜21上形成光阻图案22(步骤S3)。之后，藉由一面对半导体基板施加偏压电压，一面藉由使用碳氟化合物系之气体的电浆使可覆盖光阻图案22般地将保护膜23堆叠在反射防止膜21上(步骤S4)。然后，藉由使用含有氧气之气体的电浆，蚀刻保护膜23及反射防止膜21(步骤S5)。之后，将降低边缘粗糙度之光阻图案22当作蚀刻罩幕使用而蚀刻多晶矽膜5，形成闸极电极(步骤S6)。 |
