发明名称 | 高密度电浆化学气相沈积制程及改善薄膜厚均匀性的方法 | ||
摘要 | 一种高密度电浆化学气相沈积制程,此沈积制程系先于晶圆上进行第一沈积步骤。然后,将晶圆旋转一角度。接着,进行第二沈积步骤,以完成薄膜之沈积。特别是,藉由上述制程所沈积之薄膜具有均匀之膜厚。 | ||
申请公布号 | TW200611317 | 申请公布日期 | 2006.04.01 |
申请号 | TW093128156 | 申请日期 | 2004.09.17 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕前宏;苏金达 |
分类号 | H01L21/205;C23C16/44 | 主分类号 | H01L21/205 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |