发明名称 高密度电浆化学气相沈积制程及改善薄膜厚均匀性的方法
摘要 一种高密度电浆化学气相沈积制程,此沈积制程系先于晶圆上进行第一沈积步骤。然后,将晶圆旋转一角度。接着,进行第二沈积步骤,以完成薄膜之沈积。特别是,藉由上述制程所沈积之薄膜具有均匀之膜厚。
申请公布号 TW200611317 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW093128156 申请日期 2004.09.17
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吕前宏;苏金达
分类号 H01L21/205;C23C16/44 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号