发明名称 绝缘膜形成用组成物及其制造方法,暨二氧化矽系绝缘膜及其形成方法
摘要 本发明之绝缘膜形成用组成物,系含有:在(B)成分存在下,将(A)成分施行水解缩合而所获得的水解缩合物;及有机溶剂;其中,该(B)成分系主链为由–(Si–CH2)x–所示构造,且具有下述一般式(4)所示构造、下述一般式(5)所示构造、下述一般式(6)所示构造及下述一般式(7)所示构造的聚碳矽烷;该(A)成分系从下述一般式(1)~(3)所示化合物组群中至少选择1种之矽烷化合物。094115013-p01.bmp094115013-p02.bmp094115013-p03.bmp(式中,R^8系指选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。)094115013-p04.bmp(式中,R^9及R^10系指相同或互异,且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。)094115013-p05.bmp(式中、R^11~R^13系指相同或互异,且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。)
申请公布号 TW200610793 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW094115013 申请日期 2005.05.10
申请人 JSR股份有限公司 发明人 秋山将宏;中川恭志;黑泽孝彦;盐田淳
分类号 C09D183/14;B05D5/12;B05D7/24;C08G77/50;C09D5/25;C09D7/12;C09D183/02;C09D183/04;C09D183/08;H01B3/46;H01L21/312 主分类号 C09D183/14
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本