发明名称 |
绝缘膜形成用组成物及其制造方法,暨二氧化矽系绝缘膜及其形成方法 |
摘要 |
本发明之绝缘膜形成用组成物,系含有:在(B)成分存在下,将(A)成分施行水解缩合而所获得的水解缩合物;及有机溶剂;其中,该(B)成分系主链为由–(Si–CH2)x–所示构造,且具有下述一般式(4)所示构造、下述一般式(5)所示构造、下述一般式(6)所示构造及下述一般式(7)所示构造的聚碳矽烷;该(A)成分系从下述一般式(1)~(3)所示化合物组群中至少选择1种之矽烷化合物。094115013-p01.bmp094115013-p02.bmp094115013-p03.bmp(式中,R^8系指选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。)094115013-p04.bmp(式中,R^9及R^10系指相同或互异,且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。)094115013-p05.bmp(式中、R^11~R^13系指相同或互异,且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。) |
申请公布号 |
TW200610793 |
申请公布日期 |
2006.04.01 |
申请号 |
TW094115013 |
申请日期 |
2005.05.10 |
申请人 |
JSR股份有限公司 |
发明人 |
秋山将宏;中川恭志;黑泽孝彦;盐田淳 |
分类号 |
C09D183/14;B05D5/12;B05D7/24;C08G77/50;C09D5/25;C09D7/12;C09D183/02;C09D183/04;C09D183/08;H01B3/46;H01L21/312 |
主分类号 |
C09D183/14 |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
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地址 |
日本 |