| 主权项 |
1.一种微透镜元件,包括: 一基底具有一光感应器位于其中; 一微透镜位于该基底上且包括大体上与该光感应 器对齐之一大体上凸状部分; 一介电膜顺应式位于该微透镜上;以及 一护层位于该介电膜上。 2.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,尚包括 一介电层介于该微透镜与该基底。 3.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,其中该 介电膜包括第一成份,且该微透镜包括第二成份, 该第二成份与该第一成份类似。 4.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,其中该 介电膜具有第一折射率,且该微透镜具有第二折射 率,该第二折射率与该第一折射率不同。 5.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,其中该 介电膜为一抗反射膜。 6.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,其中该 微透镜包括一聚合物材料。 7.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,其中该 微透镜包括一介电材料。 8.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,尚包括 一滤光层位于该护层上。 9.如申请专利范围第1项所述之微透镜元件,其中光 入射至该微透镜元件与该光感应器之一填充率( fill factor)至少为50%。 10.一种微透镜阵列,包括: 一基底具有复数个光感应器位于其中; 一微透镜层包括复数个微透镜位于该基底上,且该 些微透镜各包括大体上与相对之该些光感应器之 一对齐之一大体上凸状部分,其中该些微透镜被复 数个间隔所隔开;以及 一介电膜顺应式位于该微透镜层上且大体上填充 该些间隔。 11.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,尚包 括一护层位于该介电膜上。 12.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,尚包 括一介电层介于该微透镜层与该基底。 13.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,其中 该介电膜包括第一成份,且该微透镜层包括第二成 份,该第二成份与该第一成份类似。 14.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,其中 该介电膜具有第一折射率,且该微透镜层具有第二 折射率,该第二折射率与该第一折射率不同。 15.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,其中 该介电膜为一抗反射膜。 16.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,其中 该微透镜包括一聚合物材料。 17.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,其中 该微透镜层包括一介电材料。 18.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,尚包 括: 一护层位于该介电膜上:以及 一彩色滤光层位于该护层上。 19.如申请专利范围第10项所述之微透镜阵列,其中 光入射至该微透镜元件与该光感应器之一填充率( fill factor)至少为50%。 20.一种微透镜阵列的制造方法,包括: 提供一基底具有复数个光感应器于其中; 形成一微透镜包括复数个微透镜于该基底上,该些 微透镜各包括大体上与所相对之该些光感应器之 一对齐之一大体上凸状部分,其中该些微透镜被复 数个间隔所隔开;以及 形成一介电膜顺应式于该微透镜层上且大体上填 充该些间隔。 21.如申请专利范围第20项所述之微透镜阵列的制 造方法,尚包括形成一护层于该介电膜上。 22.如申请专利范围第20项所述之微透镜阵列的制 造方法,尚包括形成一介电层介于该微透镜层与该 基底。 23.如申请专利范围第22项所述之微透镜阵列的制 造方法,其中形成该微透镜层的步骤,包括: 沉积一微透镜材料层于该介电层上; 图案化该微透镜材料层;以及 热处理该图案化的微透镜材料层,以形成该些微透 镜。 24.如申请专利范围第23项所述之微透镜阵列的制 造方法,其中该微透镜层包括一聚合物材料。 25.如申请专利范围第20项所述之微透镜阵列的制 造方法,其中形成该微透镜层的步骤,包括: 沉积一微透镜材料层于该基底上; 形成一罩幕于该微透镜材料层上;以及 利用该罩幕蚀刻该微透镜材料层。 26.如申请专利范围第25项所述之微透镜阵列的制 造方法,其中该微透镜层包括一介电材料。 27.如申请专利范围第20项所述之微透镜阵列的制 造方法,尚包括: 形成一护层于该介电膜上;以及 形成一彩色滤光层于该护层上。 图式简单说明: 第1图为一剖面图,用以本发明一实施例之微透镜 阵列。 第2图为一剖面图,用以本发明另一实施例之微透 镜阵列。 |
